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美国康奈尔大学，IQERFLLC和Qorvo公司仍然在研究如何更佳地将埋式p型GaN层活化［WenshenLietal，Appl．Phys．Lett．，vol113，p062105，p2018］。在大多数GaN／III－N生长过程中，p型层由于无法活化而回到最后，这一般来说牵涉到到通过冷却样品以企图驱走样品内部的氢，从而腐蚀用作产生移动空穴载流子的镁的掺入。这种p－GaN－last约束容许的结构可以用作电力电子和其他应用于的研究。埋式结构器件有还包括异质拢双极晶体管（HBT），沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），电流孔径横向电子晶体管（CAVET）和纵向蔓延MOSFET（LDMOSFET）。

如图1，金属有机化学气相沉积（MOCVD）在块状GaN上产生外延层。顶部p－GaN层在原位再次发生活化。研究人员说道，认识电阻（～4x10－5Ω－cm2）和霍尔测量（空穴密度～7％镁浓度，迁移率为24cm2／Vs）不会使这种具备顶部p－GaN层的材料的性能拟合。图1：（a）原生长的原位活化p－n二极管结构和两个再行生长层的转身层结构。

（b）MOCVD和MBE对照样品上两个再行生长层的信息表格。（c）三种类型的圆形二极管的示意性横截面：在两个样品上制备的p－n，i／p－n和n＋／i／p－n二极管。（d）具备条纹几何形状的n＋／i／p－n二极管的示意性横截面。条纹长度50微米。

然后通过毯式MOCVD或未掺入GaN的分子束外延（MBE）再行生长来挖出p型GaN。对于MOCVD样品，将p型GaN在反应室中在900℃的氨气氛围中热处理腐蚀30分钟，并将其用紫外－臭氧和氢氟酸展开处置，减少MOCVD样品中硅的残余。对于MBE样品，挖出的p型GaN是未腐蚀的。

通过MBE在两个样品上选择性地生长，最后确认n＋型GaN层。该材料所产生的这种埋式p－GaN结构，用作各种叠层的钯（Pd），钛（Ti）和金（Au）的触点展开电测试。利用腊光刻法来除去并未掺入的GaN中再造顶层并用作台面隔绝。并且将p型GaN在潮湿空气氛围中在725℃下热处理30分钟来展开活化，利用台面侧壁来除去内部的氢。

热处理后，材料的金属触点被产生上。我们找到，在埋式p型GaN在没被活化的情况下，并未金属化的MOCVD－样品结构在偏移偏压下表明出高漏电流，而经过火化后，可以诱导电流的高漏。

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